一、課題組簡介

實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室專注于寬禁帶半導體材料相關(guān)的基礎(chǔ)研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導體領(lǐng)域的“卡脖子”技術(shù)難題，推動寬禁帶半導體材料的快速發(fā)展，提高我國在寬禁帶半導體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術(shù)帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創(chuàng)中心雙聘教授2人、科創(chuàng)百人5人、博士后和技術(shù)開發(fā)專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在advanced functional materials、physical review applied、applied physics letters、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、 journal of materials chemistry c、advanced electronic materialsl等國際期刊發(fā)表sci論文40余篇，申請國家發(fā)明專利70余項，其中授權(quán)12項，申請實用新型專利30余項，其中授權(quán)17項。

主要負責人簡介：鄧天琪，求是科創(chuàng)學者（“科創(chuàng)百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院半導體材料研究室。2011年畢業(yè)于中國科學技術(shù)大學物理學院，2016年畢業(yè)于新加坡南洋理工大學（ntu）材料科學與工程學院并獲得博士學位。隨后分別在新加坡南洋理工大學及新加坡科技研究局（a*star）高性能計算研究院（ihpc）展開博士后研究，2021年加入浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，2021年獲浙江省海外高層次人才計劃支持。近三年發(fā)表sci論文17篇，其中第一作者7篇，發(fā)表于;、 ;、 ;、 ;、 ;、 ;等國際知名專業(yè)期刊。

二、重點引進方向

1.針對碳化硅等寬禁帶半導體及其缺陷的電、熱、力學與自旋性質(zhì)開展獨立研究；

2.結(jié)合實際應用需求，開展學術(shù)調(diào)研、理論研究和計算模擬；

3.在相關(guān)研究基礎(chǔ)上發(fā)表學術(shù)論文、撰寫專利、申報科研項目。

三、申請條件

1.近三年內(nèi)已獲得或即將獲得物理、材料、化學、微電子等相關(guān)專業(yè)的博士學位；年齡不超過35周歲；

2.品學兼優(yōu)，身心健康，具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；

3.近三年內(nèi)以第一作者或通訊作者發(fā)表 2 篇以上高質(zhì)量研究論文或?qū)＠?/p>

4.能夠全職從事博士后工作。

四、待遇及保障條件

1.根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；

2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應配套資助；

3.提供一流的實驗與科學研究條件；

4.協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

5.工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。

五、申請材料

1.個人簡歷；

2.表明研究能力和學術(shù)水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術(shù)論文等）及佐證材料；

3.博士學位論文。

申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱：dengtq@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“鄧天琪課題組+博士后+姓名 ”標明。

六、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：劉老師

聯(lián)系電話：0571-82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號